THz晶體
GaAs(Te/Zn)/GaP/InP(Zn/Fe)/InSb
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材料 |
InP |
InSb |
InP: Fe |
InP:Zn |
GaP |
GaAs:Te |
GaAs:Zn |
GaAs 多晶 |
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阻抗, om.cm |
0.03 - 0.2 |
- |
1x106 - 2x107 |
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- |
- |
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直徑 |
- |
- |
1,011 - 1,2511 |
1,011 - 1,2511 |
- |
12,511 |
1,511 |
- |
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軸向 |
(100), (111) |
(100), (111) |
(100), (111) |
(100), (111) |
(100), (111) |
-100 |
- |
- |
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載流子濃度 , cm-3 |
(0.8 - 2.0) x 1015 |
(8 - 30) x 1013 |
- |
(0.2 - 1.0) x 1018 |
(4 - 6) x 1016 |
2 x 1017 |
1.0 x 1019 |
2 x 1015 |
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靈敏度 cm2/V.Sec |
3500 - 4000 |
- |
- |
50 -70 |
- |
4500 |
- |
5200 |
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生長技術 |
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可參雜 |
- |
- |
可參雜 |
- |
Cz |
Bridjman |
筱曉光子技術有限公司的德國合作方之一 MolTech公司生產和經銷各類激光晶體，包括作為激光活性物質的晶體，光學器件晶體，各種單晶，非線性光學晶體！現在我公司把MolTech公司的部分用于THz產生的非線性晶體介紹給中國的科研界客戶。
THz晶體-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn
其中GaP(磷化鎵)有一個能發出可見光的能代間隙,只不過它是間接能帶半導體。當它同GaAs結合形成GaAs1-xPx合金時,就便成了既直接又具有發光能帶間隙的物質了。GaP還可用于制作發光二極管，它能夠發出綠光。
InP(磷化銦)主要應用于光纖通訊設備,尤其是半絕緣的InP晶片很可能成為光電二極管的主流產品,應用于高速通訊設備，其傳輸速度能達到40Gbps。InP還有望用于對傳輸速度要求更高的下一代移動電話中。
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