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產品詳情

THz晶體

ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS

詳細參數：

材料

ZnS

CdS

ZnSe

ZnSe

ZnxCd1-xS

CdS

CdSe

CdSxSe1-x

CdTe

CdTe

CdZnTe

ZnTe

生成方法

垂直布里奇曼生長法

PVT

melt

PVT

晶種氣相法

直徑，mm

40

50

80

50

40

厚度，mm

30

10

15

40

30

30

10

30

10

15

光學吸收at 10,6
nm, cm-1

< 0.15

< 0.007

<0.0015

<0.005

-

0.01

5-10
x10-4

< 0.01

-

阻抗, Ohm x cm

-

105

5-50x109

> 105

1x106

發光強度比，IEx/Iedge
(Iimp)

-

> 10

-

位錯密度, cm-2

-

< 2 x105

< 5 x105

2 x105

< 2 x105

< 2 x104

5 x104

-

1x 104

-

小角邊界密度, cm-1

-

< 40

< 40

70

70

< 20

10

-

3

< 10

發光光譜的激發帶波長, nm

 -

490 ± 2

690 ± 2

444
± 2

475 ± 5

490
± 2

690
± 2

510 ± 5,
535 ± 10,
560 ± 10,
600 ± 5,
615
+5/-15,
505 ± 5,
625 ± 5

 -

產品簡介：

德國Moltech公司位于柏林，專注于激光材料，激光介質，激光晶體，太赫茲晶體，法拉第隔離器的研發制作。Moltech公司的THz晶體廣泛為中國的客戶使用和好評。

 

第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均為寬帶半導體。其中ZnTe,ZnS可利用全固態可調諧雙波長光源在非線性晶體中二階光學混頻方法產生太赫茲光。CdxZn1- xTe(CZT/碲鋅鎘)半導體單晶是發展遠紅外,可見光,X-射線探測器,γ射線探測器的重要材料。CZT射線探測器具有吸收系數大，結構緊湊，室溫操 作等優點。而現在工業和醫療方面產用的高純Ge和Si的探測器，只能工作在液氮溫度下。CZT已經成為硬X射線和γ射線的一種關鍵技術。天文學方面用 CZT陣列去研究宇宙中的高能γ射線源。

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