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產品詳情

MPGD5210Y-2型硅雪崩光電二極管

產品特性:
 正照平面型芯片結構
 響應頻率高、增益高
 激光測距、激光告警和激光雷達等應用
zui大額定值

工作電壓

0.95×VBR

工作溫度

-5085

耗散功率

1mW

正向電流

1mA

貯存溫度

-55100

焊接溫度(時間)

26010s

光電性能(@Tc=22±3℃)

特性參數

符號

測試條件

zui小

典型

zui大

單位

光譜響應范圍

λ

4001100

nm

光敏面直徑

φ

500

μm

響應度

Re

λ=850nm,φe=1μw, M=100

50

55

 

A/W

響應時間

tS

f=1MHz,RL=50Ω,λ=850nm

 

0.6

1.5

ns

暗電流

 

ID

M=100

0.2

0.5

3

nA

總電容

Ctot

M=100,f=1MHz

 

1.2

 

pF

zui適宜的放大倍數

M

 

 

60-80

 

 

反向擊穿電壓

VBR

IR=10uA

100

 

220

V

工作電壓溫度系數

δ

Tc=-4085

 

0.8

 

V/

等效電路及應用電路 :
 圖1 等效電路圖                                                   圖2 使用示意圖


注:C1-濾波電容,主要濾除偏置工作電壓VR的噪聲;

    C2-旁路電容,主要是為交流信號提供對地回路;
    R1-限流電阻,主要保護偏置工作電壓VR過高時,損壞探測器;
    Ri-取樣電阻,將光電流轉化為電壓信號。

典型特性曲線:
封裝外形、尺寸及引腳定義:
注意事項:
該器件需要溫度反饋工作電壓控制
貯運、使用注意靜電保護措施
光纖彎曲半徑不小于20mm
使用前保證光纖連接處潔凈