MPGD5210Y-2型硅雪崩光電二極管
工作電壓 |
0.95×VBR |
工作溫度 |
-50~85℃ |
耗散功率 |
1mW |
正向電流 |
1mA |
貯存溫度 |
-55~100℃ |
焊接溫度(時間) |
260℃(10s) |
特性參數 |
符號 |
測試條件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
單位 |
光譜響應范圍 |
λ |
— |
400~1100 |
nm |
||
光敏面直徑 |
φ |
— |
500 |
μm |
||
響應度 |
Re |
λ=850nm,φe=1μw, M=100 |
50 |
55 |
|
A/W |
響應時間 |
tS |
f=1MHz,RL=50Ω,λ=850nm |
|
0.6 |
1.5 |
ns |
暗電流
|
ID |
M=100 |
0.2 |
0.5 |
3 |
nA |
總電容 |
Ctot |
M=100,f=1MHz |
|
1.2 |
|
pF |
zui適宜的放大倍數 |
M |
|
|
60-80 |
|
|
反向擊穿電壓 |
VBR |
IR=10uA |
100 |
|
220 |
V |
工作電壓溫度系數 |
δ |
Tc=-40℃~85℃ |
|
0.8 |
|
V/℃ |
注:C1-濾波電容,主要濾除偏置工作電壓VR的噪聲;