405nm 50mW 同軸封裝 單模光纖 半導體激光器
■ 波長405nm
■ 3-4μm單模光纖
■ 同軸封裝
■ 光電探測器可選
典型技術指標(25℃) |
符號 |
單位 |
zui小值 |
典型值 |
zui大值 |
|
光學參數 |
中心波長 |
λc |
nm |
400 |
405 |
410 |
連續輸出功率 |
Po |
mW |
- |
50mW |
- |
|
光譜寬度 |
△λ |
nm |
- |
2.0 |
- |
|
波長溫度系數 |
- |
Nm/℃ |
- |
- |
- |
|
光纖參數 |
光纖芯徑 |
Wc |
μm |
3 |
||
數值孔徑 |
NA |
nm |
|
0.12 |
|
|
光纖長度 |
|
cm |
|
80 |
100 |
|
光纖類型 |
紫外單模光纖 |
|||||
連接器 |
FC/ST/SMA905 |
|||||
電學參數 |
工作電壓 |
Vop |
V |
- |
4.6 |
5.5 |
閾值電流 |
Ith |
mA |
- |
35 |
50 |
|
工作電流 |
Iop |
mA |
- |
110 |
130 |
|
監測電流 |
|
mA |
|
- |
|
|
微分效率 |
ηD |
mW/mA |
1.0 |
1.5 |
2.0 |
|
PD參數 |
反向耐壓 |
|
V |
|
- |
|
正向電流 |
|
mA |
|
|
|
|
其他參數 |
封裝類型 |
同軸 |
||||
|
側面探測器可選 |
1 |
LD(+) |
2 |
GND |
3 |
LD(-) |
一、激光器工作時避免激光器直射眼鏡和皮膚,即使很微弱的激光進入眼睛,經過眼睛的會聚作用, 也可能造成嚴重的損傷。
二、激光器需要穩定的驅動電源,避免出現浪涌,瞬時反向電流反向電壓不能超過極限值,否則會損 壞元器件。
三、半導體激光器對溫度比較敏感,在高溫工作會降低轉換效率,加速元器件老 化,需要在充分散熱 或制冷的條件下使用。
四、激光器應在額定電流,額定功率下使用,輸出功率過高會加速元器件老化。
五、激光器屬于靜電敏感器件,在運輸,儲存和使用中必須采取防靜 電措施。
六、激光器應存放或工作在干燥,通風的環境中,防止結露損壞激光 器。
七、發光面(腔面)是激光器的關鍵部分之一,避免任何操作損傷到 腔面,器件使用過程中應確保管芯不被污染并防止機械損傷。
八、光纖不可有大角度的彎折,彎曲直徑要大于 300 倍光纖直徑。
極限參數 |
符號 |
數值 |
單位 |
反向電壓 |
Vre |
5.0 |
V |
工作溫度 |
Top |
0-+70 |
℃ |
存儲溫度 |
Tst |
-35-+85 |
℃ |
焊接溫度 |
Tis |
260 |
℃ |
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