圓形有源區(qū)APD芯片直徑為100μm。 該裝置為透明玻璃窗的密封TO52包裝。其中根據(jù)定制要求，兩種TO52類型可供選擇。
■ APD具有0.008mm2的有效面積
■ 100μm直徑有效面積
■ 低偏置電壓時(shí)的高增益
■ 快速上升時(shí)間，低電容
■ zui佳增益：50-60
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符號(hào) |
參數(shù) |
zui小值 |
zui大值 |
單位 |
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TSTG |
Storage temp |
-55 |
125 |
℃ |
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TOP |
Operating
temp |
-40 |
100 |
℃ |
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Mmax |
Gain （IPO=1 nA） |
-200 |
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IPEAK |
Peak DC
current |
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0.25 |
mA |
光電參數(shù)@23℃：
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符號(hào) |
特性 |
測試條件 |
zui小值 |
典型值 |
zui大值 |
單位 |
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有效區(qū)域 |
|
直徑 100 |
um |
||
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|
有效區(qū)域 |
|
0.00785 |
mm2 |
||
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ID |
暗電流 |
M=100 |
|
0.05 |
0.1 |
nA |
|
C |
電容 |
M=100 |
|
0.5 |
|
pF |
|
|
響應(yīng) |
M=100；λ=800nm |
45 |
50 |
|
A/W |
|
tR |
上升時(shí)間 |
M=100；λ=905nm；RL=50 |
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|
0.18 |
ns |
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截止頻率 |
-3dB |
2 |
|
|
GHz |
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VBR |
擊穿電壓 |
IR=2uA |
80 |
|
160 |
v |
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溫度系數(shù) |
VBR隨時(shí)間變化 |
0.35 |
0.45 |
0.55 |
V/K |
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過大噪聲因素 |
M=100 |
|
2.2 |
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|
過大噪聲指數(shù) |
M=100 |
|
0.2 |
|
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光譜響應(yīng)圖（M=100）：
量子效應(yīng)（23℃） 電容為反偏壓（23°C）
乘積作為偏壓（23°C，60℃） 暗電流為偏壓（23℃，60℃）
應(yīng)用提示：
■ 電流應(yīng)受到電源內(nèi)部的保護(hù)電阻或電流限制 - IC限制
■ 對(duì)于低光照應(yīng)用，應(yīng)使用環(huán)境光的遮擋
■ 對(duì)于高增益應(yīng)用，偏置電壓應(yīng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償
■ 處理時(shí)請(qǐng)考慮基本的ESD保護(hù)
■ 使用低噪聲讀出 - IC
■ 有關(guān)更多問題，請(qǐng)參閱文檔“處理和處理說明”
■ zui佳增益：50-60
包裝尺寸：少量：泡沫墊，盒裝（12厘米x 16.5厘米）
■ 激光測距儀
■ 高速光度測定
■ 高速光通信
■ 醫(yī)用器材
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