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產品詳情
砷化鎵（GaAs）窗片

GaAs的生產采用Czochralski或水平Bridgeman晶體生長技術。 由于它是含砷的，應注意處理和工作中的預防措施。砷化鎵在遠紅外光學和透鏡系統中具有專門的應用。

技術參數：

傳輸范圍：

116μm（1）

折射率：

3.2727 @10.33μm（1）

反射損失：

44％@10.33μm

吸收系數：

0.01cm -1

吸收峰：

n / a

dn / dT：

147 x 10-6/°C @ 10  μm (4) for derivation

dn /dμ= 0：

6.3μm

密度：

5.315g / cc

熔點：

1511℃

熱導率：

48 W m-1 K-1 @ 273K (2)

熱膨脹：

5.7 x 10-6 /°C at 300K (3)

硬度：

Knoop 750

比熱容：

360 J Kg-1 K-1

介電常數：

在低頻下為12.91

楊氏模量（E）：

84.8GPa

剪切模量（G）：

n / a

體積模量（K）：

75.5GPa

彈性系數：

n / a

表觀彈性極限：

71.9 MPa

泊松比：

0.31

溶解性：

不溶于水

分子量：

144.64

類/結構：

立方ZnS，F43m，（100）裂解

光譜透射曲線：

折射率：(No = Ordinary Ray)

um

No

um

No

um

No

1.033

3.492

1.550

3.3737

2.066

3.338

2.480

3.324

3.100

3.3125

4.133

3.3027

4.959

3.2978

6.199

3.2921

7.293

3.2874

8.266

3.2831

9.537

3.2769

10.33

3.2727

11.27

3.2671

12.40

3.2597

13.78

3.2493

15.50

3.2336

17.71

3.2081

19.07

3.1866

產品規格：

訂購型號

規格(D×L)(mm)

光譜范圍

GAASP10-0.3

10.0×0.3mm

IR

GAASP25.4-2

25.4×2.0mm

IR